蓋世汽車訊 7月19日，半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）宣布推出集成650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。新產(chǎn)品適用于處理大功率的汽車和工業(yè)應(yīng)用，例如光伏電源調(diào)節(jié)器、車載充電器以及電動和電氣化汽車（xEV）中使用的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

（圖片來源：羅姆）

RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了羅姆的低損耗SiC肖特基勢壘二極管，幾乎沒有恢復(fù)能量，因此可將二極管開關(guān)損耗降至最小。此外，由于在開啟模式下恢復(fù)電流不必由IGBT處理，因此顯著降低了IGBT的開啟損耗。當(dāng)將該產(chǎn)品用于車載充電器時，在這兩種效應(yīng)的共同作用下，其損耗與傳統(tǒng)IGBT相比降低67%，與超級結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，從而進一步提高性價比，并降低工業(yè)和汽車應(yīng)用中的功耗。

近年來，在全球為減少環(huán)境負(fù)擔(dān)、實現(xiàn)碳中和及脫碳社會不斷努力的過程中，電動汽車（xEV）得到日益普及。與此同時，為了配置更高效的系統(tǒng)，各種車輛逆變器和轉(zhuǎn)換器電路也需要變得越來越多樣化。此外，超低損耗SiC功率器件（即SiC MOSFET、SiC SBD等）以及傳統(tǒng)的推功率器件（例如IGBT、超級結(jié)MOSFET）也需要在技術(shù)上有所創(chuàng)新。

為了向大量應(yīng)用提供有效的電源解決方案，羅姆不僅專注于行業(yè)領(lǐng)先的SiC功率器件的產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)，還專注于開發(fā)硅產(chǎn)品和驅(qū)動器IC。

羅姆還在網(wǎng)站上提供了各種設(shè)計支持材料，包括集成和評估所需的驅(qū)動電路設(shè)計的SPICE模型和應(yīng)用筆記，以支持快速上市。羅姆致力于通過開發(fā)滿足不同需求的低損耗功率器件，并提供設(shè)計工具，不斷通過系統(tǒng)低功耗和小型化為環(huán)保做貢獻。

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