博世SiC，厚積薄發(fā)。

在《全系標配 SiC，小米 SU7 只為“交個朋友”》一文中提到，在碳化硅電控部分，小米SU7單電機版（400V電壓平臺）電驅供應商為聯(lián)合電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片。

4月1日，博世汽車電子進一步透露，小米SU7單電機版400V電壓平臺搭載了聯(lián)合汽車電子的電橋，其應用了博世第二代750V，6.4毫歐的碳化硅（SiC）芯片產品。

具體來看，歸功于博世專利的溝槽技術，博世的第二代碳化硅芯片和第一代產品相比，能夠實現(xiàn)更高的功率密度和效率，并改進了體二極管以提高開關速度，這意味著在切換速度不變的前提下，減少了50%的dv/dt，實現(xiàn)單位面積Rdson 30%的縮減，Rdsonsp達到140mohm*mm2。

此外，博世第二代750V碳化硅產品支持更高的結溫耐受，支持短時在最高200℃的溫度下連續(xù)運行（生命周期累計不超過100小時），實現(xiàn)車輛短時BOOST模式（超頻使用），以及更好的高溫性能：

• 100℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.125

• 175℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.45

  - 25℃Rdson@6.4mohm

  -100℃Rdson@7.2mohm

  -175℃Rdson@9.3mohm

同時，該產品支持門極負壓關斷（推薦門極工作電壓-5V/18V）。

可靠性方面，該產品通過高于AQG-324可靠性驗證標準的博世功率芯片可靠性驗證標準，并且通過了DGS, DRB 和 D-H3TRB(動態(tài)HTGB、動態(tài)HTRB、動態(tài)H3TRB)可靠性驗證。

而博世的SiC“成績單”，遠不止是小米SU7。

SiC研發(fā)經驗超過20年的博世

2019年10月，博世在德國正式宣布其開始碳化硅相關業(yè)務，并于2021年底起就在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產碳化硅芯片。

博世擁有自己的碳化硅產品研發(fā)線，可提供包括裸片、分立器件、驅動器和模塊等碳化硅相關高功率器件。

產能擴張方面，2022年7月，博世宣布，到2026年前，將在半導體業(yè)務上投資30億歐元。作為投資的一部分，博世將投入超過1.7億歐元在德國羅伊特林根和德累斯頓建立兩個全新的芯片研發(fā)中心。此外，博世還將在未來一年內再投入2.5億歐元，在德累斯頓晶圓廠增設3000平方米的無塵車間。

博世的羅伊特林根的半導體中心在有計劃地擴建中，到2025年，博世將再投資約4億歐元用于擴大產能，并將現(xiàn)有工廠空間轉換為新的無塵車間。這包括在羅伊特林根工廠新建一個3600平方米的超現(xiàn)代無塵車間。整體而言，到2025年底，羅伊特林根的無塵車間將從目前的約35000平方米擴建到44000平方米以上。

未來，博世還將繼續(xù)擴大碳化硅功率半導體的產能，旨在將產出提高至上億顆的水平。

除此之外，為了滿足市場對碳化硅芯片日益增長的需求，博世計劃收購美國芯片制造商TSI半導體的部分業(yè)務。

在接下來的幾年內，博世將對其位于美國加州Roseville的工廠投資超過14億歐元，進行生產設施改造，全面轉產碳化硅。從2026年開始，首批基于8英寸碳化硅晶圓片的芯片將在該廠投入生產。

博世在中國的SiC布局與合作

2023年9月，博世基于碳化硅技術的800V電橋于在聯(lián)合汽車電子太倉工廠率先實現(xiàn)量產，應用于國內某自主品牌車型。

需要指出的是，這款全新電橋由中國本土團隊開發(fā)，結合先進調制算法以及全局頻率優(yōu)化，CLTC效率達到91%，同時搭載新一代逆變器。該逆變器采用本土開發(fā)的基于碳化硅的功率模塊，并實現(xiàn)在太倉工廠的自主封裝。

聯(lián)合汽車電子太倉分公司二期工廠于2022年7月啟動建設，2023年3月實現(xiàn)全面封頂，并于2023年8月工廠啟用。

太倉工廠是聯(lián)合電子新能源產品的生產基地，主要生產電橋、功率模塊、電機等產品。聯(lián)電新能源汽車電力總成項目占地147畝，總投資50.5億元，分兩期建設。

聯(lián)合汽車電子太倉分公司二期工廠就屬于聯(lián)電新能源汽車電力總成項目一期，占地20畝，廠房建筑面積約2萬平方米，共規(guī)劃布置建設2條電機線、1條電橋線以及3條功率模塊生產線。其中，最新一代的扁線（X-Pin）電機和碳化硅功率模塊就在二期工廠車間內正式批產。

據(jù)了解，聯(lián)電的三期工廠建設項目于2023年10月動工，預計于8月底整體交付使用，計劃銷售額突破80億元。

除此之外，2023年3月，博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地在蘇州工業(yè)園區(qū)奠基。項目總投資超10億美元，一期項目占地面積146畝，已于去年11月實現(xiàn)主體結構封頂，預計今年9月試產，明年初實現(xiàn)正式量產。

據(jù)悉，該項目于去年1月簽約落戶蘇州工業(yè)園區(qū)，項目主要圍繞新能源汽車核心部件，研發(fā)和制造配備新一代碳化硅功率模塊單元的電驅產品、新一代智能集成制動系統(tǒng)IPB2.0、智能解耦制動系統(tǒng)以及博世中國高階智能駕駛解決方案在內的多款自動駕駛核心技術。

此外，二期項目占地面積117畝，于今年2月27日簽署土地合同，今年3月也順利取得樁基施工許可。

而在訂單合作上，不管是上游碳化硅襯底的訂單，還是下游模塊車企的合作，博世都積極推動著產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

原材料供應方面，根據(jù)天岳先進披露的2022年年報顯示，2022年天岳先進與全球汽車電子知名企業(yè)博世集團簽署長期協(xié)議，成為博世的碳化硅襯底片供應商。

產業(yè)鏈合作方面，去年年底，芯動半導體與博世汽車電子在上海簽署了長期訂單合作協(xié)議。

據(jù)透露，本次合作聚焦在SiC業(yè)務上，這將進一步助力芯動半導體SiC業(yè)務穩(wěn)步發(fā)展。同時，也將促進芯動半導體形成更加集聚的發(fā)展格局，進一步推動產業(yè)鏈融合。

除此之外，2022年9月，廣汽埃安、芯聚能、博世簽署三方戰(zhàn)略合作協(xié)議，啟動在碳化硅電驅系統(tǒng)業(yè)務上的全面戰(zhàn)略合作。

而此前，芯聚能就向博世汽車電子事業(yè)部半導體業(yè)務單元發(fā)送了碳化硅芯片的項目定點函和相關產品訂單。此次定點，開啟了博世和國內碳化硅領軍企業(yè)合作的業(yè)務模式。據(jù)了解，該項目中的博世碳化硅芯片將最終被裝配在國內某核心自主品牌主機廠SEA架構的多款車型中。

End

到 2025 年，博世預計每輛新車平均會集成 25 顆芯片。碳化硅芯片市場也在繼續(xù)快速增長——平均每年增長 30%。

博世正在通過SiC芯片擴展其半導體業(yè)務，并將在 2030 年底之前顯著擴展其全球 SiC 芯片產品組合。而作為全球唯一自主生產碳化硅芯片的汽車零部件供應商，博世也著手與其他多家碳化硅模塊廠，逆變器廠及主機廠進行積極的技術溝通和商務洽談，推動產業(yè)整合、供應鏈重塑。

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