博世SiC，厚積薄發(fā)。

在《全系標(biāo)配 SiC，小米 SU7 只為“交個朋友”》一文中提到，在碳化硅電控部分，小米SU7單電機(jī)版（400V電壓平臺）電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片。

4月1日，博世汽車電子進(jìn)一步透露，小米SU7單電機(jī)版400V電壓平臺搭載了聯(lián)合汽車電子的電橋，其應(yīng)用了博世第二代750V，6.4毫歐的碳化硅（SiC）芯片產(chǎn)品。

具體來看，歸功于博世專利的溝槽技術(shù)，博世的第二代碳化硅芯片和第一代產(chǎn)品相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度和效率，并改進(jìn)了體二極管以提高開關(guān)速度，這意味著在切換速度不變的前提下，減少了50%的dv/dt，實現(xiàn)單位面積Rdson 30%的縮減，Rdsonsp達(dá)到140mohm*mm2。

此外，博世第二代750V碳化硅產(chǎn)品支持更高的結(jié)溫耐受，支持短時在最高200℃的溫度下連續(xù)運行（生命周期累計不超過100小時），實現(xiàn)車輛短時BOOST模式（超頻使用），以及更好的高溫性能：

• 100℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.125

• 175℃Rdson溫度系數(shù)降低至1.45

  - 25℃Rdson@6.4mohm

  -100℃Rdson@7.2mohm

  -175℃Rdson@9.3mohm

同時，該產(chǎn)品支持門極負(fù)壓關(guān)斷（推薦門極工作電壓-5V/18V）。

可靠性方面，該產(chǎn)品通過高于AQG-324可靠性驗證標(biāo)準(zhǔn)的博世功率芯片可靠性驗證標(biāo)準(zhǔn)，并且通過了DGS, DRB 和 D-H3TRB(動態(tài)HTGB、動態(tài)HTRB、動態(tài)H3TRB)可靠性驗證。

而博世的SiC“成績單”，遠(yuǎn)不止是小米SU7。

SiC研發(fā)經(jīng)驗超過20年的博世

2019年10月，博世在德國正式宣布其開始碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)，并于2021年底起就在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片。

博世擁有自己的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)線，可提供包括裸片、分立器件、驅(qū)動器和模塊等碳化硅相關(guān)高功率器件。

產(chǎn)能擴(kuò)張方面，2022年7月，博世宣布，到2026年前，將在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上投資30億歐元。作為投資的一部分，博世將投入超過1.7億歐元在德國羅伊特林根和德累斯頓建立兩個全新的芯片研發(fā)中心。此外，博世還將在未來一年內(nèi)再投入2.5億歐元，在德累斯頓晶圓廠增設(shè)3000平方米的無塵車間。

博世的羅伊特林根的半導(dǎo)體中心在有計劃地擴(kuò)建中，到2025年，博世將再投資約4億歐元用于擴(kuò)大產(chǎn)能，并將現(xiàn)有工廠空間轉(zhuǎn)換為新的無塵車間。這包括在羅伊特林根工廠新建一個3600平方米的超現(xiàn)代無塵車間。整體而言，到2025年底，羅伊特林根的無塵車間將從目前的約35000平方米擴(kuò)建到44000平方米以上。

未來，博世還將繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，旨在將產(chǎn)出提高至上億顆的水平。

除此之外，為了滿足市場對碳化硅芯片日益增長的需求，博世計劃收購美國芯片制造商TSI半導(dǎo)體的部分業(yè)務(wù)。

在接下來的幾年內(nèi)，博世將對其位于美國加州Roseville的工廠投資超過14億歐元，進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)施改造，全面轉(zhuǎn)產(chǎn)碳化硅。從2026年開始，首批基于8英寸碳化硅晶圓片的芯片將在該廠投入生產(chǎn)。

博世在中國的SiC布局與合作

2023年9月，博世基于碳化硅技術(shù)的800V電橋于在聯(lián)合汽車電子太倉工廠率先實現(xiàn)量產(chǎn)，應(yīng)用于國內(nèi)某自主品牌車型。

需要指出的是，這款全新電橋由中國本土團(tuán)隊開發(fā)，結(jié)合先進(jìn)調(diào)制算法以及全局頻率優(yōu)化，CLTC效率達(dá)到91%，同時搭載新一代逆變器。該逆變器采用本土開發(fā)的基于碳化硅的功率模塊，并實現(xiàn)在太倉工廠的自主封裝。

聯(lián)合汽車電子太倉分公司二期工廠于2022年7月啟動建設(shè)，2023年3月實現(xiàn)全面封頂，并于2023年8月工廠啟用。

太倉工廠是聯(lián)合電子新能源產(chǎn)品的生產(chǎn)基地，主要生產(chǎn)電橋、功率模塊、電機(jī)等產(chǎn)品。聯(lián)電新能源汽車電力總成項目占地147畝，總投資50.5億元，分兩期建設(shè)。

聯(lián)合汽車電子太倉分公司二期工廠就屬于聯(lián)電新能源汽車電力總成項目一期，占地20畝，廠房建筑面積約2萬平方米，共規(guī)劃布置建設(shè)2條電機(jī)線、1條電橋線以及3條功率模塊生產(chǎn)線。其中，最新一代的扁線（X-Pin）電機(jī)和碳化硅功率模塊就在二期工廠車間內(nèi)正式批產(chǎn)。

據(jù)了解，聯(lián)電的三期工廠建設(shè)項目于2023年10月動工，預(yù)計于8月底整體交付使用，計劃銷售額突破80億元。

除此之外，2023年3月，博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地在蘇州工業(yè)園區(qū)奠基。項目總投資超10億美元，一期項目占地面積146畝，已于去年11月實現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂，預(yù)計今年9月試產(chǎn)，明年初實現(xiàn)正式量產(chǎn)。

據(jù)悉，該項目于去年1月簽約落戶蘇州工業(yè)園區(qū)，項目主要圍繞新能源汽車核心部件，研發(fā)和制造配備新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品、新一代智能集成制動系統(tǒng)IPB2.0、智能解耦制動系統(tǒng)以及博世中國高階智能駕駛解決方案在內(nèi)的多款自動駕駛核心技術(shù)。

此外，二期項目占地面積117畝，于今年2月27日簽署土地合同，今年3月也順利取得樁基施工許可。

而在訂單合作上，不管是上游碳化硅襯底的訂單，還是下游模塊車企的合作，博世都積極推動著產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

原材料供應(yīng)方面，根據(jù)天岳先進(jìn)披露的2022年年報顯示，2022年天岳先進(jìn)與全球汽車電子知名企業(yè)博世集團(tuán)簽署長期協(xié)議，成為博世的碳化硅襯底片供應(yīng)商。

產(chǎn)業(yè)鏈合作方面，去年年底，芯動半導(dǎo)體與博世汽車電子在上海簽署了長期訂單合作協(xié)議。

據(jù)透露，本次合作聚焦在SiC業(yè)務(wù)上，這將進(jìn)一步助力芯動半導(dǎo)體SiC業(yè)務(wù)穩(wěn)步發(fā)展。同時，也將促進(jìn)芯動半導(dǎo)體形成更加集聚的發(fā)展格局，進(jìn)一步推動產(chǎn)業(yè)鏈融合。

除此之外，2022年9月，廣汽埃安、芯聚能、博世簽署三方戰(zhàn)略合作協(xié)議，啟動在碳化硅電驅(qū)系統(tǒng)業(yè)務(wù)上的全面戰(zhàn)略合作。

而此前，芯聚能就向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項目定點函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點，開啟了博世和國內(nèi)碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)合作的業(yè)務(wù)模式。據(jù)了解，該項目中的博世碳化硅芯片將最終被裝配在國內(nèi)某核心自主品牌主機(jī)廠SEA架構(gòu)的多款車型中。

End

到 2025 年，博世預(yù)計每輛新車平均會集成 25 顆芯片。碳化硅芯片市場也在繼續(xù)快速增長——平均每年增長 30%。

博世正在通過SiC芯片擴(kuò)展其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并將在 2030 年底之前顯著擴(kuò)展其全球 SiC 芯片產(chǎn)品組合。而作為全球唯一自主生產(chǎn)碳化硅芯片的汽車零部件供應(yīng)商，博世也著手與其他多家碳化硅模塊廠，逆變器廠及主機(jī)廠進(jìn)行積極的技術(shù)溝通和商務(wù)洽談，推動產(chǎn)業(yè)整合、供應(yīng)鏈重塑。

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