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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 750V G2封裝技術(shù)

蓋世汽車 2025-12-16 14:38

蓋世汽車訊 12月10日，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC? MOSFET 750V G2封裝技術(shù)，旨在為汽車和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供最高的系統(tǒng)效率和功率密度。這項最新創(chuàng)新技術(shù)現(xiàn)已推出多種封裝形式，包括Q-DPAK和D2PAK，其典型導通電阻（RDS(on)）在25°C下最高可達60 mΩ。

圖片來源：英飛凌

此次產(chǎn)品組合擴展涵蓋了適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品，例如汽車行業(yè)的車載充電器和高低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及服務(wù)器和電信行業(yè)的開關(guān)電源，還有工業(yè)應(yīng)用中的電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。4 mΩ的超低導通電阻（RDS(on)）使其能夠滿足對靜態(tài)開關(guān)性能要求極高的應(yīng)用，例如電子熔斷器、高壓電池隔離開關(guān)、固態(tài)斷路器和固態(tài)繼電器。這種無與倫比的性能使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)，滿足最嚴苛的要求。

來源：第一電動網(wǎng)

作者：蓋世汽車

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