技術(shù)

富士通推出汽車級4Mbit FRAM 工作溫度為125°C

蓋世汽車劉麗婷 2021-07-13 11:42

蓋世汽車訊據(jù)外媒報道，富士通半導體存儲器解決方案（Fujitsu Semiconductor Memory Solution）公司宣布開始量產(chǎn)4Mbit FRAM（鐵電隨機存取存儲器）MB85RS4MTY，可在125°C高溫下運行。

（圖片來源：富士通）

該FRAM產(chǎn)品符合AEC-Q1001級汽車標準，非常符合工業(yè)機器人和汽車應用，例如需要高可靠性電子元件的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）。

（圖片來源：富士通）

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，其讀寫耐久性高、寫入速度快，且功耗低，并已量產(chǎn)20多年。而這種帶有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的寬電源電壓下運行。在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，該FRAM可保證10萬億次讀/寫周期和低工作電流，例如最大4mA的寫入電流（工作頻率為50MHz）。此外，該產(chǎn)品還采用8引腳DFN（Dual Flatpack No-leaded，雙扁平無引線）封裝。

該FRAM產(chǎn)品可解決在高可靠性應用中使用EEPROM（電可擦除只讀存儲器）或SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)生的一系列問題。如在在使用EEPROM時，由于寫耐久性規(guī)范的限制，用戶難以頻繁記錄數(shù)據(jù)，但使用FRAM可保證10萬億讀/寫周期，同時還可以在發(fā)生突發(fā)事故或停電時，保護寫入的數(shù)據(jù)，避免數(shù)據(jù)丟失；使用SRAM時，會難以取出電池保留數(shù)據(jù)，但使用FRAM非易失性存儲器，可以有效保留數(shù)據(jù)。