蓋世汽車(chē)訊 9月6日，先進(jìn)專(zhuān)用集成電路（ASIC）廠商創(chuàng)意電子公司（GUC）宣布，其基于臺(tái)積電（TSMC）5nm制程技術(shù)的HBM3 IP解決方案已通過(guò)8.4 Gbps流片驗(yàn)證。該平臺(tái)包含全功能HBM3控制器和物理層IP（PHY IP），以及采用臺(tái)積電先進(jìn)CoWoS?技術(shù)的廠商HBM3內(nèi)存。

目前，HBM內(nèi)存供應(yīng)商制定了積極的路線圖，將傳輸率和內(nèi)存大小從HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上進(jìn)一步將信號(hào)總線寬度加倍。但是，基本DRAM時(shí)序參數(shù)沒(méi)有改變，并且HBM控制器變得越來(lái)越復(fù)雜，以提高總線利用率。

創(chuàng)意電子的HBM3控制器可在隨機(jī)存取時(shí)實(shí)現(xiàn)90%以上的總線利用率，同時(shí)保持低延遲性。創(chuàng)意電子采用臺(tái)積電5nm技術(shù)的HBM3 IP已通過(guò)流片驗(yàn)證，并于今年年初推出采用臺(tái)積電3nm技術(shù)的HBM3 IP，該IP支持臺(tái)積電CoWoS-S和CoWoS-R，可達(dá)到下一代HBM3E/P內(nèi)存（尚在規(guī)劃中）的速度。自2020年起，創(chuàng)意電子的HBM控制器和物理層IP已用于客戶(hù)生產(chǎn)的HPC ASIC。

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