隨著新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，第三代半導(dǎo)體因其高功率材料特性獲得業(yè)界青睞。作為新能源汽車、新能源發(fā)電等電力電子系統(tǒng)中的核心部件，SiC MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛；以碳化硅為核心的800V強(qiáng)電系統(tǒng)將在主驅(qū)逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、DC-DC到OBC及充電樁等領(lǐng)域迎來規(guī)?；l(fā)展。

如何對(duì)這些核心功率模塊進(jìn)行精準(zhǔn)、可靠的測(cè)試和篩選變得至為關(guān)鍵。

8月29-31日，功率半導(dǎo)體測(cè)試創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者——忱芯科技攜全套測(cè)試解決方案參展PCIM Asia。展會(huì)現(xiàn)場展出了Edsion動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)和動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)，并進(jìn)行實(shí)機(jī)DEMO測(cè)試。

PCIM Asia 展會(huì)現(xiàn)場

實(shí)機(jī)DEMO測(cè)試吸引訪客問詢

Edison & Maxwell 動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

助力精準(zhǔn)、可靠、高性價(jià)比測(cè)試

針對(duì)功率半導(dǎo)體的車規(guī)級(jí)應(yīng)用，忱芯科技研發(fā)了SiC / IGBT功率半導(dǎo)體器件動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，破解影響測(cè)試準(zhǔn)確性和可靠性的技術(shù)難點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)——

n超低回路雜感：先進(jìn)疊層電容母排（小于10nH），可以進(jìn)行比實(shí)際應(yīng)用工況更嚴(yán)格的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試；

n高可靠，強(qiáng)保護(hù)： 經(jīng)過應(yīng)用驗(yàn)證的高速、高頻、高可靠數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路（CMTI高達(dá)200V/μs）；同時(shí)配備高速固態(tài)保護(hù)開關(guān)，從響應(yīng)到完全切斷電流時(shí)間<2μs；

n高效率：可實(shí)現(xiàn)對(duì)功率模塊內(nèi)部所有開關(guān)器件的一鍵全自動(dòng)化測(cè)試，無須更換測(cè)試母排和工裝及驅(qū)動(dòng)電路板，助力高UPH；

n高精度：靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)通過理論分析與精準(zhǔn)電磁建模最大限度地降低了測(cè)試線路寄生阻抗對(duì)靜態(tài)特性參數(shù)測(cè)試的影響，實(shí)現(xiàn)高效自動(dòng)化測(cè)試的同時(shí)，有力保證測(cè)試精度。

推出至今，忱芯科技的SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)運(yùn)行，合作客戶覆蓋頭部功率半導(dǎo)體企業(yè)及新能源車廠。其中，三電平動(dòng)靜態(tài)測(cè)試機(jī)裝機(jī)量行業(yè)領(lǐng)先。

動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)·產(chǎn)線版& 靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)·產(chǎn)線版

新一代SiC MOSFET動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)

讓完美的高頻方波電壓不再只停留在教科書上

SiC MOSFET功率器件需要在高電平與低電平之間頻繁切換，SiC/SiO2界面態(tài)電荷陷阱在器件開啟和關(guān)斷過程中俘獲和釋放載流子，使得SiC MOSFET閾值電壓發(fā)生漂移；SiC MOSFET漏源極長期承受高頻高壓應(yīng)力，高dv/dt下芯片快速充電導(dǎo)致老化失效。硅基功率半導(dǎo)體器件施加靜態(tài)直流應(yīng)力的傳統(tǒng)可靠性測(cè)試方法已經(jīng)沒法滿足SiC MOSFET的可靠性測(cè)試要求，模擬實(shí)際應(yīng)用開關(guān)運(yùn)行條件的高溫動(dòng)態(tài)高頻交流測(cè)試才能實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC MOSFET可靠性的全面測(cè)試，包括驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)與工藝、老化測(cè)試，以及成品測(cè)試等。AQG324已經(jīng)發(fā)布了車規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

忱芯科技推出新一代SiC MOSFET動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)，覆蓋SiC MOSFET單管功率器件和功率模塊的DHTGB/DHTRB/DH3TRB動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試，已經(jīng)交付多家SiC MOSFET企業(yè)使用。

寬禁帶半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)

該系統(tǒng)支持不同封裝類型的SiC MOSFET功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試，可滿足客戶高精度、大容量等測(cè)試需求。設(shè)備主要亮點(diǎn)有：

n高dV/dt, DHTGB 柵極應(yīng)力發(fā)生器dV/dt>1V/ns, DHTRB漏極應(yīng)力發(fā)生器dV/dt>50V/ns

n開關(guān)頻率高，單管功率器件開關(guān)頻率高達(dá)500kHz, 功率模塊開關(guān)頻率高達(dá)100kHz

n一機(jī)多用，覆蓋單管功率器件與功率模塊，既能進(jìn)行動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試，又能做進(jìn)行傳統(tǒng)的靜態(tài)可靠性測(cè)試

n可靠性高，高頻應(yīng)力發(fā)生器保護(hù)功能強(qiáng)，各器件測(cè)試相互獨(dú)立互不干擾，任意器件出現(xiàn)損害不影響其他器件測(cè)試

n支持波形監(jiān)測(cè)，每個(gè)試驗(yàn)區(qū)均預(yù)留示波器接口，可隨時(shí)監(jiān)控波形

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