蓋世汽車訊 憶阻器是一類能夠保持其內(nèi)阻的器件,與使用集成電路的傳統(tǒng)器件相比,具有優(yōu)越的性能。研究人員探索使用幾種材料來制造這些器件,近年來過渡金屬氧化物逐漸在這方面得到廣泛應(yīng)用。
(圖片來源:韓國三育大學(xué))
隨著憶阻器在人工智能系統(tǒng)等不同領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,現(xiàn)在必須解決與數(shù)據(jù)保留、耐用性和大量電導(dǎo)狀態(tài)等相關(guān)的多個(gè)問題。此外,單獨(dú)制造這些器件耗費(fèi)的時(shí)間很長,為了提高其性能和可靠性,也需要解決一些挑戰(zhàn)性問題。
據(jù)外媒報(bào)道,最近,在韓國三育大學(xué)(Sahmyook University)Min Kyu Yang教授領(lǐng)導(dǎo)的一項(xiàng)研究中,研究人員開發(fā)出銀(Ag)擴(kuò)散硫系化合物薄膜,可用作憶阻器中的電阻開關(guān)材料。
來源:第一電動(dòng)網(wǎng)
作者:蓋世汽車
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