蓋世汽車訊 憶阻器是一類能夠保持其內阻的器件，與使用集成電路的傳統(tǒng)器件相比，具有優(yōu)越的性能。研究人員探索使用幾種材料來制造這些器件，近年來過渡金屬氧化物逐漸在這方面得到廣泛應用。
（圖片來源：韓國三育大學）
隨著憶阻器在人工智能系統(tǒng)等不同領域的應用日益廣泛，現在必須解決與數據保留、耐用性和大量電導狀態(tài)等相關的多個問題。此外，單獨制造這些器件耗費的時間很長，為了提高其性能和可靠性，也需要解決一些挑戰(zhàn)性問題。
據外媒報道，最近，在韓國三育大學（Sahmyook University）Min Kyu Yang教授領導的一項研究中，研究人員開發(fā)出銀（Ag）擴散硫系化合物薄膜，可用作憶阻器中的電阻開關材料。
來源：第一電動網
作者：蓋世汽車
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