據(jù)外媒消息報道，專家Nexperia采用硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術(shù)，推出第一款大功率GaN場效應(yīng)晶體管。

Nexperia公司MOS分立式器件業(yè)務(wù)集團總經(jīng)理Toni Versluijs表示：“Nexperia準備進軍高壓領(lǐng)域，因此推出這一戰(zhàn)略舉措?，F(xiàn)在，我們能夠提供適用于電動汽車（xEV）功率半導體應(yīng)用的技術(shù)。我們的GaN技術(shù)已經(jīng)可以量產(chǎn)，滿足大批量應(yīng)用。汽車行業(yè)是Nexperia關(guān)注的重點領(lǐng)域，隨著電動汽車取代傳統(tǒng)內(nèi)燃機汽車，成為個人和公共交通的首選工具，預(yù)計未來20年該行業(yè)將顯著增長。”

該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層，并獲得合適的外延性能，因此，可以利用標準的150mm晶圓生產(chǎn)線，進行初級生產(chǎn)，具有批量生產(chǎn)所需的可擴展性，以及成本優(yōu)勢。

650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V，工作溫度在-55至+175°C之間。產(chǎn)品特色在于，導通電阻低至60 m?，可以減少損耗，支持頻率切換，提高電源效率。重要的是，該產(chǎn)品采用業(yè)內(nèi)常用的標準TO-247封裝，更便于設(shè)計者操作，提升產(chǎn)品性能。

GAN063-650WSA GaN場效應(yīng)晶體管是Nexperia旗下GaN系列設(shè)備首款產(chǎn)品，適用于汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)領(lǐng)域。

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