蓋世汽車訊 4月6日，韓國純晶圓代工公司啟方半導體（Key Foundry）宣布其首款采用二代0.13微米嵌入式閃存工藝的汽車半導體已完成開發(fā)，并將于今年開始大規(guī)模量產。

5年多來，啟方半導體憑借第1代0.13微米嵌入式閃存技術，不斷推動各類消費應用產品，如MCU（微處理器）、觸控（Touch）和自動對焦（Auto Focus）的量產。該全新第二代0.13微米嵌入式閃存工藝可應用于汽車零部件，并滿足AEC-Q100一級可靠性測試標準?；谄渖詈竦膶I(yè)積累，以及獲得專利的側壁選擇性晶體管單元（SSTC）結構的強大特性，啟方半導體將糾錯碼（ECC，Error Correcting Code）內存添加到嵌入式閃存IP，成功開發(fā)出一種新的嵌入式閃存技術，滿足所有AEC-Q100一級可靠性測試標準。不僅如此，該設計改進還提高了此項技術的閃存可靠性，適用于所有汽車應用。

（圖片來源：啟方半導體）

啟方半導體的一家韓國客戶率先將此項新工藝應用于交通收費應答器的MCU產品中。啟方半導體的128Kb eFlash I P已嵌入至完成產品級測試的產品，并將于今年展開全面量產。這是第一款采用啟方半導體嵌入式閃存工藝的汽車應用產品。該公司希望該產品的成功開發(fā)將有助于拓展此項技術的應用范圍，未來可應用于觸控IC、無線充電IC和其他各種汽車產品。

與第一代相比，第二代技術可靠性更高，成本競爭力也更強，預計將被廣泛應用于包括MCU、觸控和自動對焦在內的各種消費類應用。此外，它與BCD（Bipolar-CMOS-DMOS，雙極型-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體）工藝集成后，非常適合各種電源產品，例如USB Type-C PDs、電機驅動IC或無線充電IC。第二代技術還有望應用于具有超低泄漏工藝選項的低功耗IoT（物聯(lián)網）產品中。

繼第一代和第二代0.13微米嵌入式閃存工藝后，啟方半導體目前正在開發(fā)0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足不斷增長的客戶對高存儲密度的需求，該公司計劃大幅縮小閃存單元的尺寸，打造出存儲密度高達4Mbits的閃存IP。

啟方半導體首席執(zhí)行官Tae Jong Lee博士表示：“我們很高興可以完成首款采用第二代0.13微米嵌入式閃存技術的產品的開發(fā)，并開始投入量產。我們將充分利用積累的技術優(yōu)勢，提供高可靠且具有成本競爭力的代工服務，并繼續(xù)增加汽車半導體在我們產品組合中的比例?！?/p>

返回第一電動網首頁 >