日前，理想汽車官方宣布，其功率半導體研發(fā)及生產(chǎn)基地在江蘇蘇州高新區(qū)正式啟動建設，主要專注于第三代半導體碳化硅車規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn)，打造汽車專用功率模塊的自主設計和生產(chǎn)制造能力。預計產(chǎn)線將在2024年投產(chǎn)，計劃產(chǎn)能可達240萬只碳化硅半橋功率模塊。
碳化硅功率半導體屬于第三代半導體，對比目前較為普及的硅材料功率半導體器件，具有耐高壓、耐高溫、關斷頻率高、損耗低等優(yōu)點，更適合應用在目前更被看好的800V高壓電驅(qū)動系統(tǒng)中，以及配套的1000V高壓直流快充。
『SiC功率半導體器件』
據(jù)悉，理想汽車功率半導體研發(fā)及生產(chǎn)基地由理想汽車與湖南三安半導體共同出資組建的蘇州斯科半導體公司打造，預計2022年內(nèi)竣工后進入設備安裝和調(diào)試階段，2024年正式投產(chǎn)。理想汽車聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁沈亞楠表示，自主研發(fā)和生產(chǎn)第三代半導體碳化硅車規(guī)功率模塊，將有助于確立理想汽車的技術和產(chǎn)品領先優(yōu)勢，同時有效確保量產(chǎn)供應。（文/汽車之家 孫一超）
來源：汽車之家
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