近日，華虹半導(dǎo)體與斯達(dá)半導(dǎo)在“華虹半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)IGBT暨12英寸IGBT規(guī)模量產(chǎn)儀式”上簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，宣布雙方攜手打造的高功率車規(guī)級(jí)IGBT芯片已通過(guò)終端車企產(chǎn)品驗(yàn)證，進(jìn)入了動(dòng)力單元等汽車應(yīng)用市場(chǎng)。

　　華虹半導(dǎo)體已在12英寸生產(chǎn)線上成功建立了IGBT晶圓生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品順利通過(guò)了客戶認(rèn)證，成為全球首家同時(shí)在8英寸和12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)先進(jìn)型溝槽柵電場(chǎng)截止型IGBT的純晶圓代工企業(yè)。目前，華虹半導(dǎo)體12英寸IGBT產(chǎn)出已超10000片晶圓。去年斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的汽車級(jí)IGBT模塊合計(jì)配套超過(guò)20萬(wàn)輛新能源汽車。

　　斯達(dá)半導(dǎo)一直致力于IGBT芯片設(shè)計(jì)和IGBT模塊的設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試。斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用于燃油車微混系統(tǒng)的48V BSG功率組件在去年實(shí)現(xiàn)了大批量裝車應(yīng)用，累計(jì)配套超過(guò)10萬(wàn)輛節(jié)能燃油汽車。去年，斯達(dá)半導(dǎo)基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的1200V IGBT芯片也成功在12寸產(chǎn)線上開(kāi)發(fā)，并已開(kāi)始批量生產(chǎn)，同年研發(fā)成功的車規(guī)級(jí)SGT MOSFET，預(yù)計(jì)今年開(kāi)始批量供貨。

　　斯達(dá)半導(dǎo)未來(lái)將持續(xù)發(fā)力新能源汽車及燃油汽車半導(dǎo)體器件市場(chǎng)，在新能源汽車用驅(qū)動(dòng)控制器領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┤β识蔚能囈?guī)級(jí)IGBT模塊，并繼續(xù)加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，盡快推出符合市場(chǎng)需求的自主的車規(guī)級(jí)SiC芯片，以完善輔助驅(qū)動(dòng)和車用電源市場(chǎng)的產(chǎn)品布局。（信息來(lái)源/蓋世汽車；編譯/汽車之家 王靜波）

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